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参数目录40177
> SI4814BDY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
型号:
SI4814BDY-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI4814BDY-T1-E3 PDF
标准包装
2,500
系列
LITTLE FOOT®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A,10.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
3.3W,3.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
查看SI4814BDY-T1-E3代理商
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